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| 型号 | NGB8206N |
| 厂商 | ON Semiconductor |
| 描述 | IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V D2PAK |
| NGB8206N PDF |  |
| 代理商 | NGB8206N |
| 产品变化通告 | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装 | 50 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 390V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开） | 1.9V @ 4.5V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 20A |
| 功率 - 最大 | 150W |
| 输入类型 | 逻辑 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 包装 | 管件 |
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